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00007版:第三届世界互联网大会特别报道·现场

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  美国加州伯克利分校的晶体管密度加强技术。通过将传统的二维晶体管设计成三维薄膜形态,在晶体管微型化上取得突破,实现了在同一芯片上制作多层电路,并将晶体管的三极体缩小到1纳米,这意味着互联网将来的速度和普及度还有千百倍成长空间。


浙江日报 第三届世界互联网大会特别报道·现场 00007 2016-11-17 浙江日报2016-11-1700023;2076525 2 2016年11月17日 星期四