6英寸碳化硅单晶 衬底成功自主研制
 |
| 近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 据新华社 |
|
| 近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 据新华社 |
浙公网安备 33010302000628号