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第00003版:国内要闻
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· 我国集成电路核心装备 研发取得重大突破
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2006年9月29日     收藏 打印 推荐 朗读 评论 更多功能 
我国集成电路核心装备 研发取得重大突破
与国外同类设备相比可节约20%成本
  据新华社北京9月28日电 (记者 邹声文 崔清新) 国家863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”28日在北京宣布通过科技部与北京市组织的项目验收,这标志着我国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。

  科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说,这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功,让我国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。科技部高新技术发展及产业化司副司长戴国强说,使用我国自主研发的设备与进口国外同类设备相比还可节约20%的成本。

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